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SGT20T60SD1P7-士蘭微-IGBT
一、產(chǎn)品核心優(yōu)勢：SGT20T60SD1P7技術(shù)亮點(diǎn)
士蘭微SGT20T60SD1P7 IGBT是一款600V/20A高性能功率器件，采用第五代場截止型（Field Stop V）技術(shù)，具備超低導(dǎo)通損耗、高開關(guān)速度和優(yōu)異溫度穩(wěn)定性，適用于數(shù)字充電器、開關(guān)電源、新能源逆變器等場景。
核心性能：
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電壓/電流：600V / 20A（Tc=25℃）
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低飽和壓降：Vce(sat)≤1.5V，減少系統(tǒng)能耗
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快速關(guān)斷：Eoff≤0.35mJ，提升能效
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寬溫度范圍：-40℃~+150℃，穩(wěn)定運(yùn)行
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緊湊封裝：TO-247，兼容常規(guī)散熱設(shè)計(jì)
二、典型應(yīng)用場景與客戶案例
1. 數(shù)字充電器
SGT20T60SD1P7的低損耗與靜音設(shè)計(jì)，助力某品牌數(shù)字充電器能效提升15%，噪音降低至28dB，通過國家一級(jí)能效認(rèn)證。
2. 工業(yè)開關(guān)電源
在1kW工業(yè)電源方案中，該模塊的高開關(guān)頻率（≤40kHz）與低EMI特性幫助客戶通過FCC認(rèn)證，系統(tǒng)效率達(dá)**94%**以上。
3. 小型光伏逆變器
針對戶用光伏系統(tǒng)，SGT20T60SD1P7的高可靠性與抗浪涌能力，使某微型逆變器項(xiàng)目轉(zhuǎn)換效率達(dá)97.5%，壽命延長至10年。
三、技術(shù)參數(shù)與選型對比（附PDF下載）
關(guān)鍵參數(shù)表：
| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
| 集電極-發(fā)射極電壓 | 600V |
| 連續(xù)集電極電流 | 20A (@Tc=25℃) |
| 峰值電流 | 40A |
| 開關(guān)損耗（Eon+Eoff） | ≤0.7mJ |
| 封裝形式 | TO-247 |
競品對比優(yōu)勢：
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對比英飛凌IKW20N60T，SGT20T60SD1P7在導(dǎo)通損耗和供應(yīng)穩(wěn)定上更優(yōu)，成本降低約20%。
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點(diǎn)擊下載：SGT20T60SD1P7規(guī)格書.pdf | IGBT家電應(yīng)用指南.pdf
四、客戶評(píng)價(jià)與技術(shù)支持
某電源企業(yè)反饋：
“采用SGT20T60SD1P7后，開關(guān)電源功耗降低22%，且良率提升至99.8%，大幅降低生產(chǎn)成本。”
服務(wù)承諾：
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免費(fèi)提供EMI優(yōu)化方案與SPICE仿真模型
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24小時(shí)樣品送達(dá)（支持企業(yè)用戶認(rèn)證）
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批量訂單1天快速響應(yīng)
五、常見問題解答（FAQ）
Q1：該IGBT是否適用于高頻反激式電源？
答：支持最高30kHz開關(guān)頻率，適用于反激拓?fù)?，若需更高頻需求，建議選用士蘭微SJ MOSFET系列。
Q2：如何避免模塊在高溫環(huán)境下失效？
答：推薦使用PCB銅箔散熱+強(qiáng)制風(fēng)冷，確保殼溫≤125℃。官網(wǎng)提供《D-PAK封裝熱設(shè)計(jì)手冊》下載。
六、立即獲取免費(fèi)樣品
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