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| SVD4N60 |
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| SVD4N60是SILAN士蘭微的一款MOS管|IGBT|模塊,我司不但為您提供可靠的全新原裝SVD4N60，還可提供SVD4N60應(yīng)用資料、免費樣品及產(chǎn)品研發(fā)技術(shù)支持！詳情可致電垂詢. | | 元件型號：SVD4N60 | | 元件品牌：SILAN士蘭微 |
| 全新原裝正品保障，質(zhì)量是企業(yè)的生命！ |
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4A、600V N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管
描述
SVD4N60 N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場效應(yīng)晶體管
采用士蘭微電子的F-CellTM平面高壓VDMOS 工藝技術(shù)制造。先
進(jìn)的工藝及條狀的原胞設(shè)計結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電
阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。
該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于 AC-DC 開關(guān)電源，DC-DC 電源轉(zhuǎn)換器，高壓 H 橋 PWM 馬達(dá)驅(qū)動。
特點
>>4A，600V，RDS(on)（典型值）=2.2Ω@VGS=10V
>>低柵極電荷量
>>低反向傳輸電容
>>開關(guān)速度快
>>提升了 dv/dt 能力
昆山東森微電子有限公司專業(yè)致力于LED燈及其他電源類電子元件如:驅(qū)動芯片\光耦\MOS管\可控硅\橋堆\二極管\三極管,歡迎新老客戶致電洽談! |
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