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IRFP4668PBF是IR的一款N溝道、200 V MOS管，具有130 A的額定電流，采用TO-247封裝，并具有9.7 Mohm的最大RDS(on)額定值。該器件達(dá)到工業(yè)級和一級潮濕敏感度（MSL1）標(biāo)準(zhǔn)。IRFP4668PBF是無鉛器件，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
IR宣布推出全新系列的trench HEXFET功率MOSFET，這些產(chǎn)品具有行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的低導(dǎo)通電阻RDS(on)，采用TO-247封裝，適用于同步整流、有源ORing和工業(yè)應(yīng)用，包括大功率DC電機(jī)、DC-AC逆變器和電動工具。與同類器件相比，IRFP4668PBF在RDS(on)方面所作出的改進(jìn)高達(dá)50%，無需工業(yè)應(yīng)用中通常使用的大型、昂貴封裝，有利于降低整體系統(tǒng)成本。此外，低RDS(on)實(shí)現(xiàn)了更低的傳導(dǎo)損耗和更高的系統(tǒng)效率。
國際整流器公司（IR）是電源管理技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者。

IR原裝進(jìn)口功率MOS管IRFP4668PBF:
單 N 溝道 200 V 520 W 161 nC Hexfet 功率 Mosfet 法蘭安裝 - TO-247AC

制造商零件編號:IRFP4668PBF
安裝方法: Flange Mount
封裝形式： TO-247AC
包裝： TUBE
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量: 25

產(chǎn)品亮點(diǎn):

•Channel Type: N-Channel
•Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 200 V
•Drain-Source On Resistance-Max: 9.7 mΩ
•Qg Gate Charge: 161 nC
•Rated Power Dissipation: 520 W