IRFZ24NPBF此產(chǎn)品不能運往到歐洲。
IR的第五代HEXFET®MOSFET采用先進的工藝技術(shù)制造，能夠?qū)崿F(xiàn)極低的硅導通電阻。這種優(yōu)勢加上快速的轉(zhuǎn)換速率和以堅固耐用著稱的HEXFET功率MOSFET器件設計，為設計人員提供了極其高效可靠、應用廣泛的器件。
TO-220封裝是所有功耗水平約為50 W的工商業(yè)應用的普遍首選。TO-220封裝具有低熱阻和低封裝成本，因此受到整個行業(yè)的廣泛認可。
IRFZ24NPBF特性：
- 先進的工藝技術(shù)
- 動態(tài)dv/dt等級
- 175 °C 工作溫度
- 快速轉(zhuǎn)換
- 完備的雪崩測試
- 無鉛
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