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SVS20N60P7D2 |
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SVS20N60P7D2是SILAN士蘭微的一款MOS管|IGBT|模塊,我司不但為您提供可靠的全新原裝SVS20N60P7D2,還可提供SVS20N60P7D2應(yīng)用資料、免費(fèi)樣品及產(chǎn)品研發(fā)技術(shù)支持!詳情可致電垂詢. | 元件型號(hào):SVS20N60P7D2 | 元件品牌:SILAN士蘭微 | 封裝:TO247 | 參數(shù):20A 600V超潔MOS功率管 |
全新原裝正品保障,質(zhì)量是企業(yè)的生命! |
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SVS20N60P7D2:20A,600V 超結(jié) MOS功率管 描述 SVS20N60P7D2 N 溝道增強(qiáng)型高壓功率MOSFET 采用士蘭微電子超結(jié) MOS 技術(shù)制造,具有很低的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。使得功率轉(zhuǎn)換器具有高效,高功率密度,提高熱行為。此外,SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2 應(yīng)用廣泛。如,適用于硬/軟開關(guān)拓?fù)洹?/span> 特點(diǎn) 20A,600V,Rps(on)=0.162@Ves=10V 創(chuàng)新高壓技術(shù) 低柵極電荷 定期額定雪崩 較強(qiáng) dv/dt 能力 高電流峰值 |
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