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SVSP65R110P7HD4 |
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SVSP65R110P7HD4是SILAN士蘭微的一款MOS管|IGBT|模塊,我司不但為您提供可靠的全新原裝SVSP65R110P7HD4,還可提供SVSP65R110P7HD4應(yīng)用資料、免費(fèi)樣品及產(chǎn)品研發(fā)技術(shù)支持!詳情可致電垂詢. | 元件型號(hào):SVSP65R110P7HD4 | 元件品牌:SILAN士蘭微 | 封裝:TO247 | 參數(shù):35A 650V超潔MOS功率管 |
全新原裝正品保障,質(zhì)量是企業(yè)的生命! |
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SVSP65R110P7HD4:35A,650V超結(jié)MOS功率管 描述 SVSP65R110P7HD4 N溝道增強(qiáng)型高壓功率場效應(yīng)管采用莽微電子超結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)制造,具有很低的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗,使得功率轉(zhuǎn)換器具有高效,高功率密度,提高熱行為�?商娲鶬PP65R110CFDA.IPA60R125P6.IXFH34N65X2。 此外,SVSP65R110P7HD4應(yīng)用廣泛。如,適用于硬/軟開關(guān)拓?fù)?/span> 特點(diǎn) 35A,650V,右(開)(典型值)=90MQ@VG=10V 創(chuàng)新高壓技術(shù) 低柵極電荷 較強(qiáng)的雪崩能力 較強(qiáng)的dv/dt 能力 較高的峰值電流能力 100%雪崩測(cè)試 無鉛管腳鍍層 符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn) |
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