YGW75N65FP是一款75A 650V的溝槽工藝IGBT,主要應(yīng)用于光伏和儲(chǔ)能及逆變器產(chǎn)業(yè)。 BV (V) | 650 | Ic(A) @100℃ | 75 | Vcesat (V) | 1.8 | Eoff (mJ) | 1.8 | Vf (V) | 2.0 | Package | TO247 |
特性 1.優(yōu)化耐壓終端環(huán),實(shí)現(xiàn)IGBT高阻斷電壓,達(dá)到工業(yè)級(jí)和汽車(chē)級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn);
2.控制少子壽命,優(yōu)化飽和壓降和開(kāi)關(guān)速度,實(shí)現(xiàn)安全工作區(qū)(SOA)和短路電流安全工作區(qū)SCSOA性能最優(yōu);
3.改善IGBT有源區(qū)元胞設(shè)計(jì)可靠性,抑制IGBT的閂鎖效應(yīng);
4.調(diào)節(jié)背面減薄、注入、退火、背金等工藝;實(shí)現(xiàn)60um~180um晶圓厚度的大規(guī)模量產(chǎn)。 |