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XNA10N60T的高清照片

XNA10N60T
XNA10N60T是芯能的一款MOS管|IGBT|模塊,我司不但為您提供可靠的全新原裝XNA10N60T,還可提供XNA10N60T應(yīng)用資料、免費(fèi)樣品及產(chǎn)品研發(fā)技術(shù)支持!詳情可致電垂詢.
元件型號(hào):XNA10N60T
元件品牌:芯能
封裝:TO263
參數(shù):10A 600V
全新原裝正品保障,質(zhì)量是企業(yè)的生命!
采購數(shù)量:
 

產(chǎn)品介紹

XNA10N60T是XINER芯能的一款10A600VIGBT,采用貼片TO263封裝.

產(chǎn)品特點(diǎn)/PRODUCT FEATURES
先進(jìn)的溝槽柵+場截止技術(shù)Advanced Trench+FS IGBT technology
超低飽和壓降Low Collector-Emitter Saturation voltage
低柵極電荷Low Gate Charge
最高結(jié)溫 Tj= 175CMaximum junction temperature: T, = 175 C
應(yīng)用領(lǐng)域/APPLICATIONS
電機(jī)控制器Motor control

芯能的IGBT采用國際領(lǐng)先的溝槽結(jié)構(gòu)+場截止型技術(shù)(Trench + FS),合理優(yōu)化了器件電流密度 ,獲得了最佳的飽和導(dǎo)通壓降(Vce(sat))和關(guān)斷損耗(Eoff)平衡。完美適用于電磁加熱、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源等各類應(yīng)用。芯能IGBT擊穿電壓保證足夠冗余,電參數(shù)一致性高并且有牢固的可靠性。同時(shí)具有高的短路電流能力。

特性

• 低飽和導(dǎo)通壓降;
• 低開關(guān)損耗;
• 高短路電流耐量;
• 高的參數(shù)一致性;
• 高的輸入阻抗;
• 正向溫度系數(shù),適合并聯(lián)使用。



聯(lián)系方式

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手 機(jī):15950933050
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技術(shù)QQ:1723916736
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